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IRF7353D1
Power Mosfet Characteristics
100
D = 0.50
0.20
10
0.10
0.05
0.02
P DM
1
0.01
SINGLE PULSE
(THERMAL RESPONSE)
t 1
t 2
Notes:
1. Duty factor D = t 1 / t 2
0.1
2. Peak T J = P DM x Z thJA + T A
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
100
t 1 , Rectangular Pulse Duration (sec)
Fig 9. Maximum Effective Transient Thermal Impedance, Junction-to-Ambient
100
T J = 150°C
10
T J = 25°C
1
V GS = 0V
A
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
1.6
V SD , Source-to-Drain Voltage (V)
Fig 10. Typical Source-Drain Diode
Forward Voltage
www.irf.com
5
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